نشرت شركة SK hynix خارطة طريقها لذاكرة DRAM في قمة SK AI 2025. على الرغم من أن الخطط معروضة بطريقة عامة جداً ولا تكشف عن تفاصيل هامة، إلا أنها لا تزال توضح اتجاه تطور تكنولوجيا DRAM والجداول الزمنية التقريبية لظهور التقنيات الجديدة. وبالطبع، نظرًا لأن SK hynix عرضت خارطة الطريق في حدث متعلق بالذكاء الاصطناعي، فإنها تميل بوضوح نحو خوادم الذكاء الاصطناعي.
ستستمر أنواع الذاكرة الديناميكية التقليدية — مثل DDR وGDDR وLPDDR — في تلبية احتياجات الذاكرة لخوادم الذكاء الاصطناعي في المستقبل المنظور، رغم استخدامها لتطبيقات مختلفة. وفي الوقت نفسه، ستستمر ذاكرة HBM في خدمة المعالجات التي تتطلب عرض نطاق ترددي عالي للذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء. تذكر شركة SK hynix أن ذاكرة 3D DRAM من المتوقع أن تظهر في عام 2030، لكن التفاصيل قليلة، لذا لا يمكننا سوى التكهن بما ستقدمه هذه التقنية عند ظهورها في أوائل العقد المقبل.
LPDDR6 — التي أصبحت الآن تتميز بمجموعة من القدرات المخصصة لمراكز البيانات على مستوى الشريحة — من المتوقع أن تجمع بين السعة العالية، والأداء العالي، وانخفاض استهلاك الطاقة بحلول نهاية العقد. تتوقع شركة SK hynix وصول وحدات SOCAMM2 المستندة إلى LPDDR6 في أواخر العقد 2020، ربما عندما تطلق Nvidia معالجاتها بعد Vera، والتي ستحتاج إلى نظام ذاكرة جديد. ومن المثير للاهتمام، أن SK hynix تخطط لإصدار حلول LPDDR6-PIM (المعالجة داخل الوحدة) للتطبيقات المتخصصة في وقت ما من عام 2028.
أما بالنسبة لذواكر GDDR7، فستظل حلاً متخصصاً لمسرّعات الاستدلال، مثل وحدة Rubin CPX من إنفيديا، لأنها تجمع بين أداء عالٍ جداً وتكلفة منخفضة نسبياً (مقارنة بـ HBM)، لكنها تفتقر إلى السعة الضرورية. قوائم SK hynix تذكر 'GDDR7-Next'، والتي ربما تعني GDDR8، حيث أن الشركة ليست معروفة بتطوير حلول محددة لإنفيديا، على عكس Micron، التي طورت GDDR5X و GDDR6X لإنفيديا.
أعلى حلول ذاكرة DRAM أداءً من SK hynix في السنوات القادمة ستكون حلول الذاكرة HBM4 وHBM4E وHBM5 وHBM5E التي سيتم إصدارها بتواتر يتراوح بين 1.5 إلى 2 سنة من الآن وحتى عام 2031. ومن المثير للاهتمام، أنه لا يبدو أن HBM5 — التي من المفترض أن تشغّل جهاز Nvidia Feynman، المقرر إطلاقه في أواخر 2028 — ستظهر حتى عام 2029 أو حتى 2030. بالنسبة للعملاء الذين يحتاجون إلى حلول ذاكرة مخصصة، ستقدم SK hynix أيضًا وحدات مخصصة من HBM4E وHBM5 وHBM5E، على الرغم من أنه لا يزال من غير المعروف كيف يخطط عملاؤها لتخصيص مثل هذه الأجهزة.
أما بالنسبة لمنتجات الفلاش عالية النطاق الترددي (HBF) التي تعد بتقديم أداء مشابه لـ HBM وسعة مماثلة لـ 3D NAND، فإن شركة SK hynix لا تتوقع وصولها قبل عام 2030، حيث يتعين على الشركة تطوير وسائط جديدة بالكامل بالإضافة إلى الاتفاق على المواصفات النهائية مع صانعي ذاكرة NAND الآخرين، وبشكل خاص SanDisk، التي اقترحت التكنولوجيا في وقت سابق من هذا العام.